近年來，年發明案量800余件，發明授權率75%，復審通過率85%。服務客戶包括世界百強企業、上市公司、科研院所、大學院校等，技術領域覆蓋集成電路設計、光伏產業、顯示面板產業、半導體器件制造、芯片封裝測試、半導體材料研發、電子電路設計、電子封裝技術、光電信息科學與工程、信息功能材料與器件、微機電系統等重要技術領域。
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1、半導體領域的專利技術涉及材料、物理、電子、光學、計算機等多種學科，由于行業發展迅猛，其專利技術更新速度快，且通常具有很高的經濟效益。為了保護和增強公司價值，半導體領域的專利技術已成為本領域的兵家必爭之地。自2000年以來，獲得最多專利的主要半導體領域依序為：1. 主動固態組件；2. 半導體制程；3. 靜態信息儲存與檢索；4. 相干光產生器；5. 電子量測與測試；6. 各種主動式電子非線性組件、電路及系統；7. 電子系統與設備。近年來公布的專利合作條約(PCT)大約維持在每年2,000件左右。前七大提出PCT申請的公司分別為飛利浦電子、超微(AMD)、IBM、應用材料(Applied Materials)、摩托羅拉(Motorola)、英特爾(Intel)與半導體能源實驗室(Semiconductor Energy Laboratory)。自2000年起，半導體、半導體設備、光學、涂布與靜態儲存一直引領著PCT的應用方向。飛利浦電子與超微將持續作為提出PCT的主要公司。半導體能源實驗室則是從2005年開始積極提出PCT。
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2、專利申請的對象主要分為以下幾種類型：
（1）電子元器件：如晶體管、存儲器、傳感器、LED照明、光電器件、太陽能光伏器件等。
（2）芯片與系統：如SoC系統級芯片、MEMS微電子機械系統等。
（3）材料與設備：如SOI、GOI、光電材料、介質材料、封裝材料、制程設備、測試設備等。
（4）制程、工藝方法：如生長薄膜、摻雜、光刻、刻蝕、制造器件的工藝流程等。
（5）IC設計、模擬方法：如 IC設計方法、器件仿真模擬方法、失效分析方法等。
（6）測試、驗證方法：如 IC、器件量測方法等。
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本專利的任務是什么，或要解決的技術問題是什么？
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已有產品/方法的不足：即說明與本專利的內容最相似的產品/方法，需要說明已有產品的主要結構、原理、實用效果，或已有工藝、方法的步驟、實用效果，尤其指出與本專利相比，原有產品/方法存在的缺點或不足之處。如有引用文獻，需要說明出處；如有參考產品，指出其型號、廠家。對原有技術的介紹盡可能詳細，可附結構原理圖。
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本專利的內容：應說明本專利達到目的或解決問題的技術手段。包括產品的組成、結構，尤其說明各組成部分之間的相互關系，例如連接關系、被作用的工作電流或信號的走向。或工藝、方法的流程步驟，還需說明各步驟涉及的重要工藝參數（如時間、溫度等）、重要公式。寫明本專利的工作原理，本專利與現有技術的區別點。
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本專利的效果：有益效果可以由工作性能的提高，制作成本、能量損耗的減少，穩定性的增加，操作、控制、使用的簡便，以及其他有用性能的出現等方面反映出來，對于工藝、材料的改進，還需給出實驗數據加以證明。
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附圖與說明：產品構造或裝置或設備的圖解，圖應以電子制圖或流程圖的標準繪制，而非掃描圖。使專利工作人員可直接在附圖上編輯修改，實用新型申請必須帶附圖。工藝、方法可提供流程圖。
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本專利的具體實施例：對照附圖，說明本專利的具體實施方式，必須有詳細的操作步驟、工作機理，包括附圖中各具體器件功能介紹、及流程圖中具體各個流程的功能。最好提供相應的技術參數、數據來具體說明有益效果，可同時提供原有技術的參數數據進行對比。
